Simulación Ab Initio Del Silicio Amorfo Poroso: Propiedades Topológicas, Electrónicas Y Ópticas Spanish edition

El objetivo de este proyecto es el de estudiar algunas de las propiedades del silicio amorfo poroso (ap-Si) mediante técnicas de la dinámica molecular ab initio. Entre las propiedades topológicas del ap-Si obtenidas se encuentran su función de distribución radial, el número de enlaces sueltos por celda de simulación, así como la separación entre los primeros vecinos de silicio. Por otra parte, la densidad de estados, brecha electrónica y energía de Fermi son las propiedades electrónicas que se reportan. Las propiedades ópticas calculadas son brecha óptica, coeficiente de absorción y espectro de emisión del material. Este trabajo es el primero en su tipo, pues reúne simulaciones de estructuras periódicas de silicio ap-Si que por el gran número de átomos que involucran, no se habían generado con anterioridad. Los resultados permiten obtener las propiedades del ap-Si, que a la fecha es difícil de fabricar en el laboratorio.